真空蒸发用理与裝置
为了获得金属蒸发薄膜，必须使金属材料变成蒸气原子（通常还要经过液态阶段），这时的温度大都在1000摄氏度以上。金属原子从蒸发源出发，应不经碰揸地达到基体表面。因此，要求真空室中残余气休分子的平均自由程大大超过蒸发源到基体表面之间的距离，也就是说要求高真空。除了少数贵金属外，高温下金属极易氧化，同时蒸发金属膜还易吸附残余气体分子，使膜层纯度下降，从而导致电性能变坏。另外，金属材料的固态一液态一气态的变化和固态一气态的变化与其蒸发温度和外界的气压有密切关系。如果外界气压很高，则必须提高蒸发源的蒸发温度，才能得到相应的饱和蒸气压。而提高蒸发源的温度必然带来一系列困难。所以，往往采用降低外界气压的方法，在蒸发源的蒸发温度比较低的情况下，得到所需要的饱和蒸气压。
综上所述，为了得到高纯度、性能良好的金属薄膜，一般是在高真空装置中，高温加热金属或合金材料，使其蒸发，并沉积在基体表面上形成薄膜。这种方法称为真空蒸发法或简称蒸发法。