场效应管工作原理
场效应管的工作原理与双极型晶体管不同，它是利用改变垂直于导电沟道的电场以控制器件的导电能力。这种器件在工作时只有多数载流子参与导电，所以也称为单极型晶体管。
场效应管可分为绝缘栅场效应管、结型场效应管和薄膜场效应管三种。
按增强或耗尽型和N沟道或P沟道，MOSFET分为四种组态。各种组态的MOSFET的基本工作原理和特性类似。
场效应管的作用
场效应皆是另一种半导体器件。它的最大优点是输人电阻非常髙,因此能满足髙内阻微弱信号源对放大器的要求,是较理想的前置放大级器件。另外，它还具有体积小、重墩轻、耗电省、寿命长、制造工艺简单、容易集成及噪声低、温度漂移较小等优点。所以，场效应管在低噪声放大器、仪器仪表、便携式电子设备以及模拟和数字集成电路等方面得到广泛的应用。
场效应管与半导体三极管不同，场效应管是利用电场效应来控制电流的器件。按其结构，场效应管可分为结型和绝缘栅型两类，其中绝缘栅型应用更为广泛。
绝缘栅型场效应管的结构是金属-氧化物-半导体，简称为MOS管。MOS分别是metal-oxide~semiconductor的第一个字母。MOS管可分为N沟道与P沟道两种，每一种又可分为增强型与耗尽型两种形式。木节将以N沟道为例，说明绝缘栅型场效应管的结构和工作原理。