光刻胶又名光致抗蚀剂，分为负性胶和正性胶。
微电子技术可算得上是人类有史以来最卓越的技术。微电子技术的发展迅猛异常，迄今为止，在人类的科学技术史上还没有一种技术像它这样真正做到日新月异。由于它的发展，电子计算机也以极快的速度更新换代。现在电子计算机已进入千家万户，成为家用电器的一部分，它的影响已遍及每一个经济领域和人们生活的每一个方面。其中光敏高分子对微电子技术的发展起着十分歌要的作用，光刻和光刻胶（光致抗蚀剂>是微电子技术中的关键技术和关键材料。
光刻胶是什么材料
光刻最重要的材料便是叫光刻胶或光致抗蚀剂的光敏高分子化合物，光刻得到正图形的光刻胶称正性光刻胶，它受光照时发生了分解反应；光刻得到负图形的为负件光刻胶，它受光照吋发生交联反应。在早期的光刻中主要有二种类型的光刻胶，它们是聚乙烯醇肉桂酸酯型、橡胶-叠氮型和邻醌重氮型。1954年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。
化学增辐光刻胶的最重要的特点是可以大大提高光刻胶对深紫外光、X光和电子束等光刻胶的灵敏度，其原因是因为光化学反成的原理有了变化。原来的各种光刻晈在光照射时发牛的化学反应是化学计量式的，也就是吸收一个光子最多只能发牛.一个反应。比如邻醌重氮光刻胶吸收一个光子，只能使一个邻醌取氮箪发生重排反应，而且被吸收的光子并不是每一个都能引起化学反应的，有的会因放出荧光或磷光向消失，因此这种光化学反成的效率很低：化学增辐光刻胶在受光照时不是直接引起交联或分解反应，而是产生一种催化剂，光刻胶的交联、分解反应可以在催化剂的作用下迅速完成。