M〇CVD是什么意思
MOCVD是常规CVD技术的发展。M〇CVD用在相当低的温度下能分解的金属有机化合物作初始反应物。MOCVD的优点是可以在热敏感的基体上进行沉积;其缺点是沉积速率低、晶体缺陷密度高、膜中杂质多。
在这种技术中把欲镀膜层的一种或几种组分以金属烷基化合物的形式输送到反应区，而其它的组分可以氢化物的形式输送。其它的初始反应物，如氯货换的金属烷基化合物或配位化合物也可采用。
MOCVD技术的开发是由于半导体外延沉积需要，也曾用M〇CVD沉积金属镀层.这是因为某些金属卤化物在高温下是稳定的而用常规CVD难以实现其沉积此外，已经用金属有机化合物沉积了氧化物、氮化物、碳化物和硅化物镀层。许多金属有机化合物在中温分解，可以沉积在如钢这样一类的基体上。所以这项技术也被称为中温CVD，M〇CVD。