CVD是什么意思
气相沉积过枵的基本步骤与物理气相沉枳不同的是：沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。可定义为在相当岛的温度下，混合气体与基体的表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金铒或化合物的阂态薄膜或镀层。
通常CVD的反应温度范围大约900至2000摄氏度：,它取决于沉积物的特性。中温CVO(MTCVD)的典型反应温度大约500至800摄氏度,它通常是通过金属有机化合物在较低温度的分解来实现的，所以又称金属有机化合物CVD(MOCVD)。等离子体增强CVD(PCVD)以及瀲光CVD（LCVD)中气相化学反应由于等离子体的产生或激光的辐照得以激活也可以把反应温度降低。