MOS场效应管的磷处理是指，对二次氧化生长的二氧化硅进行处理。那么为什么要加这一道工序呢？
MOS场效应管与普通的双极晶体管相比，它具有许多优点。但是，它也有美中不足之处，例如：早期的MOS场效应管，在使用的时候，特性会发生漂移。研究表明,早期的MOS场效应管的漂移现象是由于二氧化硅绝缘栅里面的钠离子作怪的结果。MOS场效应管的漏源饱和电流将随着沟道的变厚而增大，而沟道的厚薄又会受到氧化层中的正电荷数目及其分布的影响。由于钠离子的移动，就会使沟道的厚薄发生变化，从而使饱和电流发生变化（致使管子发生漂移)。氧化层中的钠离子可能是氧化过程中引进的，也可能是氧化之后，从疏松的氧化层表面钻进去的。氧化层经过磷处理之后，就会在氧化层表面形成一层含有五氧化二磷的磷硅玻璃。我们将在第六章中看到，由于磷硅玻璃的存在，MOS场效应管的稳定性将会提高。
磷硅玻璃层中的五氧化二磷的浓度不可太髙，太高了会由于磷硅玻璃层中五氧化二磷的极化作用的影响，反而使器件的性能发生漂移。有人做过实验，105埃厚含有百分之四的五氧化二磷的磷硅玻璃就足以防止外界l0的12次方/厘米3钠离子沾污十年。可见,磷处理时，只要形成很薄的含有五氧化二磷的磷硅玻璃就行了。
磷处理的装置和磷扩散的装置相同，而且采用的磷源也相同。不同的是，磷处理的时候，炉温较低，只有860摄氏度左右，时间较短，只需10分钟(通源5分钟，吹氮5分钟)就够了，而且只用氮气携带而不通氧气。对二次氧化生长的二氧化硅，不需淸洗便可直接送进石英管进行磷处理。
生产实践证明：合理的磷处理，确实可以提高MOS场效应管的稳定性。当然，不适当的磷处理，不但会使MOS场效应管的性能变坏,而且还会带来较大的噪声和降低直流输入阻抗。